智通財經APP獲悉，海通國際證券發布研究報告稱，碳化硅為一種前途光明的第三代半導體材料。該行認為下游電力電子領域向高電壓、高頻等趨勢邁進，碳化硅材料的特性決定了它將會逐步取代傳統硅基，打開巨大的市場空間。由于碳化硅產業鏈涉及多個復雜技術環節，將會通過系列報告形式對其進行完整梳理。
添加微信好友, 獲取更多信息
復制微信號
第三代半導體性能優越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發展的基礎，經歷了數代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料逐漸進入產業化加速放量階段。相較于前兩代材料，碳化硅具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優越性能，廣泛應用于制作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件。
國外廠商多以IDM模式布局，國內企業專注單個環節。碳化硅產業鏈依次可分為：襯底、外延、器件、終端應用。國外企業多以IDM模式布局全產業鏈，如Wolfspeed、Rohm及意法半導體(ST)，而國內企業則專注于單個環節制造，如襯底領域的天科合達、天岳先進(688234.SH)，外延領域的瀚天天成、東莞天域，器件領域的斯達半島(603290.SH)、泰科天潤。
新能源車領域將會為SiC功率器件帶來巨大增量。包裝無紡布在新能源車上，碳化硅器件主要使用在主驅逆變器、OBC(車載充電機)、DC-DC車載電源轉換器和大功率DCDC充電設備。隨著各大車企相繼推出800V電壓平臺，為滿足大電流、高電壓的需求，電機控制器的主驅逆變器將不可避免的由硅基IGBT替換為SiC-MOS，帶來巨大增長空間。
廠家訂制各種克重規格無紡布非織造布電話15838056980
碳化硅功率器件能提高光伏逆變器轉換效率，減少能量損耗。光伏發電方面，目前基于硅基器件的傳統逆變器成本約占系統10%左右，卻是系統能量損耗的主要來源之一。使用SiC-MOS為基礎材料的光伏逆變器，轉換效率可從96%提升至99%以上、能量損耗降低50%以上、設備循環壽命提升50倍，從而能夠縮小系統體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生產成本。
2025年碳化硅襯底市場或將增長至143億元，需求量達到420萬片。根據該行測算：到2025年，新能源車領域用碳化硅襯底市場規模將達到102億元，需求量達304萬片;光伏領域將達到20億元，需求量53萬片。全球碳化硅襯底總市場規模將從19億元增長至143億元，需求量將從30萬片增長至420萬片。
風險提示：下游應用領域滲透率上升不及預期